注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Množství: | |
|---|---|
DH100P35/DH100P35F/DH100P35E/DH100P35B/DH100P35D
WXDH
Výkonový MOSFET 35A 100V P-channel Mode Enhancement
1 Popis
Tyto P-kanálové vylepšené VDMOSFETy, použité pokročilé výkopové technologie a design, poskytují vynikající Rdson s nízkým nábojem brány.Což odpovídá standardu RoHS.
2 Vlastnosti
● Rychlé přepínání
● Nízký ON odpor
● Nízké nabití brány
● Nízké kapacity zpětného přenosu
● Test 100% lavinové energie jednoho pulzu
● Test 100% ΔVDS
3 Aplikace
● používá se v různých spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.
● Přenosná zařízení a systémy napájené bateriemi
● Aplikace Alertor
| VDSS | RDS(zapnuto) (TYP) | ID |
| -100V | 37 mΩ | -35A |
Výkonový MOSFET 35A 100V P-channel Mode Enhancement
1 Popis
Tyto P-kanálové vylepšené VDMOSFETy, použité pokročilé výkopové technologie a design, poskytují vynikající Rdson s nízkým nábojem brány.Což odpovídá standardu RoHS.
2 Vlastnosti
● Rychlé přepínání
● Nízký ON odpor
● Nízké nabití brány
● Nízké kapacity zpětného přenosu
● Test 100% lavinové energie jednoho pulzu
● Test 100% ΔVDS
3 Aplikace
● používá se v různých spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.
● Přenosná zařízení a systémy napájené bateriemi
● Aplikace Alertor
| VDSS | RDS(zapnuto) (TYP) | ID |
| -100V | 37 mΩ | -35A |
