Größe: 150 x 50 Pixel 
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| Menge: | |
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DH100P35/DH100P35F/DH100P35E/DH100P35B/DH100P35D
WXDH
35 A 100 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und sorgen für einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Schnelles Umschalten
● Niedriger EIN-Widerstand
● Niedrige Gate-Ladung
● Geringe Rückübertragungskapazitäten
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet.
● Tragbare Geräte und batteriebetriebene Systeme
● Alertor-Anwendung
| VDSS | RDS(ein) (TYP) | AUSWEIS |
| -100V | 37mΩ | -35A |
35 A 100 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und bieten einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Schnelles Umschalten
● Niedriger EIN-Widerstand
● Niedrige Gate-Ladung
● Geringe Rückübertragungskapazitäten
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet.
● Tragbare Geräte und batteriebetriebene Systeme
● Alertor-Anwendung
| VDSS | RDS(ein) (TYP) | AUSWEIS |
| -100V | 37mΩ | -35A |
