4A 1500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH4N150F TO-3PF

4A 1500V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia

1 Opis

DH4N150, krzemowy układ VDMOSFET z ulepszonym kanałem N, jest uzyskiwany dzięki technologii samonastawnej planarnej, która zmniejsza straty przewodzenia, poprawia wydajność przełączania i zwiększa energię lawiny. Tranzystor może być stosowany w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności. Forma opakowania to TO-3PF, co jest zgodne ze standardem RoHS. 

2 funkcje 

• Szybkie przełączanie 

• Niska rezystancja włączenia (Rdson ≤6,5 Ω) 

• Niski ładunek bramki (typowe dane: 38nC) 

• Niskie pojemności transferu zwrotnego (typowo: 2,9 pF) 

• 100% test energii lawinowej z pojedynczym impulsem 

3 aplikacje 

 Obwód wyłącznika zasilania adaptera i ładowarki.

VDSS	RDS(wł.)(TYP)	ID
1500 V	4,9 Ω	4A