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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET SiC DCC016M120G3 TO-247 da 1200 V/16 mΩ/110 A DCC016M120G3 TO-247 1200 V 110A DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700 V 37A DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET SiC 1200 V/16 mΩ/110 A DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200 V 110A DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 20 mΩ 650 V DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650 V 92A DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 A 1200 V DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200 V 40A Specifiche del dispositivo DCC075M120G2C.pdf

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