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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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1200 V/16 mΩ/110 A SiC-MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200V 110A DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
36 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700V 37A DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
1200 V/16 mΩ/110 A SiC-MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
20 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650V 92A DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
40 A 1200 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200V 40A Gerätespezifikation DCC075M120G2C.pdf

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