Dimensioni: 建议图fotoimmagine 150px*50px 
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| Quantità: | |
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G40N65D
WXDH
Transistor bipolare con gate isolato Trenchstop da 40 A 650 V
1 Descrizione Utilizzando il design Trench proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di commutazione superiori, elevata robustezza a valanga, facile funzionamento in parallelo
2 Caratteristiche
● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo
● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 1,7 V @ IC = 40 A e Tj = 25°C
● Capacità valanghe estremamente migliorata
3 applicazioni
● Saldatura
●UPS
● Invertitore a tre livelli
| Vces | Pacchetto | Ic(Tj=100℃) |
| 650 V | TO-220 | 40A |
Transistor bipolare con gate isolato Trenchstop da 40 A 650 V
1 Descrizione Utilizzando il design Trench proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di commutazione superiori, elevata robustezza a valanga, facile funzionamento in parallelo
2 Caratteristiche
● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo
● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 1,7 V @ IC = 40 A e Tj = 25°C
● Capacità valanghe estremamente migliorata
3 applicazioni
● Saldatura
●UPS
● Invertitore a tre livelli
| Vces | Pacchetto | Ic(Tj=100℃) |
| 650 V | TO-220 | 40A |
