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40A 650V Trenchstop Bipolartransistor mit isoliertem Gate G40N65D TO-3PF

Unter Verwendung des proprietären Trench-Designs und der fortschrittlichen FS-Technologie von DongHai bietet der 650-V-FS-IGBT überlegene
Schaltleistung, hohe Avalanche-Robustheit und einfachen Parallelbetrieb.
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  • G40N65D

  • WXDH

40 A 650 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate


1 Beschreibung Mit dem proprietären Trench-Design und der fortschrittlichen FS-Technologie von DongHai bietet der 650-V-FS-IGBT überlegene Schaltleistungen, hohe Avalanche-Robustheit und einfachen Parallelbetrieb 


2 Funktionen 

● FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient 

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat), typ = 1,7 V bei IC = 40 A und Tj = 25 °C 

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit


3 Anwendungen

● Schweißen 

● USV

● Dreistufiger Wechselrichter


Vces Paket Ic(Tj=100℃)
650V TO-220 40A 


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IGBT

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