Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Narito ka: Bahay » Mga produkto » IGBT » 600V-650V » 40A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G40N65D TO-3PF

naglo-load

Ibahagi sa:
button sa pagbabahagi ng facebook
button sa pagbabahagi ng twitter
pindutan ng pagbabahagi ng linya
buton ng pagbabahagi ng wechat
button sa pagbabahagi ng linkedin
Pindutan ng pagbabahagi ng pinterest
button sa pagbabahagi ng whatsapp
ibahagi ang button na ito sa pagbabahagi

40A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G40N65D TO-3PF

Gamit ang proprietary Trench design ng DongHai at advance na FS technology, ang 650V FS IGBT ay nag-aalok ng superior at
switching performances, high avalanche ruggedness madaling parallel operation
Availability:
Dami:
  • G40N65D

  • WXDH

40A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor


1 Paglalarawan Gamit ang proprietary Trench design ng DongHai at advance na FS technology, ang 650V FS IGBT ay nag-aalok ng superior at switching performances, high avalanche ruggedness madaling parallel operation 


2 Mga Tampok 

● FS Trench Technology, Positibong temperatura koepisyent 

● Mababang boltahe ng saturation: VCE(sat), typ = 1.7V @ IC =40A at Tj = 25°C 

● Lubhang pinahusay na kakayahan ng avalanche


3 Aplikasyon

● Welding 

● UPS

● Tatlong antas na Inverter


Vces Package Ic(Tj=100℃)
650V TO-220 40A 


Nakaraan: 
Susunod: 

Kategorya ng Produkto

Pinakabagong Balita

  • Mag-sign up para sa aming newsletter
  • maghanda para sa hinaharap na
    pag-sign up para sa aming newsletter upang makakuha ng mga update diretso sa iyong inbox