Képméret: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Mennyiség: | |
|---|---|
G40N65D
WXDH
40A 650V Trenchstop szigetelt kapu bipoláris tranzisztor
1 Leírás A DongHai szabadalmaztatott Trench tervezését és a fejlett FS technológiát használva a 650 V-os FS IGBT kiváló kapcsolási teljesítményt, nagy lavinaállóságot és egyszerű párhuzamos működést kínál.
2 Jellemzők
● FS Trench Technology, pozitív hőmérsékleti együttható
● Alacsony telítési feszültség: VCE(sat), típus = 1,7V @ IC = 40A és Tj = 25°C
● Rendkívül továbbfejlesztett lavinaképesség
3 Alkalmazások
● Hegesztés
● UPS
● Háromszintű inverter
| Vces | Csomag | Ic (Tj = 100 ℃) |
| 650V | TO-220 | 40A |
40A 650V Trenchstop szigetelt kapu bipoláris tranzisztor
1 Leírás A DongHai szabadalmaztatott Trench tervezését és a fejlett FS technológiát használva a 650 V-os FS IGBT kiváló kapcsolási teljesítményt, nagy lavinaállóságot és egyszerű párhuzamos működést kínál.
2 Jellemzők
● FS Trench Technology, pozitív hőmérsékleti együttható
● Alacsony telítési feszültség: VCE(sat), típus = 1,7V @ IC = 40A és Tj = 25°C
● Rendkívül továbbfejlesztett lavinaképesség
3 Alkalmazások
● Hegesztés
● UPS
● Háromszintű inverter
| Vces | Csomag | Ic (Tj = 100 ℃) |
| 650V | TO-220 | 40A |
