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transistor bipolaire G40N65D TO-3PF de porte isolée par Trenchstop de 40A 650V

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transistor bipolaire G40N65D TO-3PF de porte isolée par Trenchstop de 40A 650V

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre
des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche, un fonctionnement parallèle facile

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Modèle:
G40N65D
Marque:
WXDH

Description du produit

Transistor bipolaire à porte isolée Trenchstop 40A 650V

1 Description Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche et un fonctionnement parallèle facile.

2 Caractéristiques

● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif

● Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 1,7V @ IC =40A et Tj = 25°C

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

3 candidatures

● Soudage

● UPS

● Onduleur à trois niveaux

Vces	Emballer	IC(Tj=100℃)
650V	TO-220	40A

IGBT

catégorie de produit

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