Nome: 建议图片大小150px*50px 
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| Quantidade: | |
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G40N65D
WXDH
Transistor bipolar de porta isolada Trenchstop 40A 650V
1 Descrição Usando o design Trench proprietário da DongHai e a tecnologia FS avançada, o IGBT 650V FS oferece desempenho superior e de comutação, alta robustez em avalanches, fácil operação paralela
2 recursos
● Tecnologia FS Trench, coeficiente de temperatura positivo
● Baixa tensão de saturação: VCE(sat), tipo = 1,7V @ IC =40A e Tj = 25°C
● Capacidade de avalanche extremamente aprimorada
3 aplicações
● Soldagem
● UPS
● Inversor de três níveis
| Você | Pacote | Ic(Tj=100℃) |
| 650 V | PARA-220 | 40A |
Transistor bipolar de porta isolada Trenchstop 40A 650V
1 Descrição Usando o design Trench proprietário da DongHai e a tecnologia FS avançada, o IGBT 650V FS oferece desempenho superior e de comutação, alta robustez em avalanches, fácil operação paralela
2 recursos
● Tecnologia FS Trench, coeficiente de temperatura positivo
● Baixa tensão de saturação: VCE(sat), tipo = 1,7V @ IC =40A e Tj = 25°C
● Capacidade de avalanche extremamente aprimorada
3 aplicações
● Soldagem
● UPS
● Inversor de três níveis
| Você | Pacote | Ic(Tj=100℃) |
| 650 V | PARA-220 | 40A |
