Elérhetőség: | |
---|---|
mennyiség: | |
10n60
WXDH
N-csatornás javítási mód Power MOSFET 10A 600V
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤9,0Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 32NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 7.5PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
600 V -os | 0,7 Ω | 10a |
N-csatornás javítási mód Power MOSFET 10A 600V
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤9,0Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 32NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 7.5PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
600 V -os | 0,7 Ω | 10a |