N-kanaalverbeteringsmodus Krag MOSFET 10A 600V 10N60

N-kanaalverbeteringsmodus Krag MOSFET 10A 600V

1 Beskrywing

Hierdie N-kanaal verbeterde vdmosfets, word verkry deur die self-belynde planêre tegnologie wat die geleidingsverlies verminder, skakelwerkverrigting verbeter en die stortvloed energie verbeter. Wat ooreenstem met die RoHS-standaard. 

2 Kenmerke 

● Vinnige oorskakeling 

● ESD verbeterde vermoë 

● Laag weerstand (Rdson≤9.0Ω) 

● Lae heklading (tipe: 32nC) 

● Lae omgekeerde oordragkapasitansies (tipe: 7.5pF) 

● 100% enkelpuls stortvloed energie toets 

● 100% ΔVDS-toets 

3 Toepassings 

● Word in verskeie kragskakelkringe gebruik vir stelselminiaturisering en hoër doeltreffendheid. 

● Kragskakelaarkring van elektronballas en adapter.

VDSS	RDS(aan) (TIP)	ID
600V	0,7 Ω	10A