Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantiti: | |
10n60
WXDH
Mod Peningkatan N-Channel MOSFET 10A 600V
1 Penerangan
Ini saluran N-saluran yang dipertingkatkan, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan kehilangan konduksi, meningkatkan prestasi beralih dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Pertukaran cepat
● Keupayaan ESD yang lebih baik
● Rendah terhadap rintangan (RDSON ≤9.0Ω)
● Caj Gate Rendah (typ: 32nc)
● Kapasit pemindahan terbalik rendah (typ: 7.5pf)
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.
● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
600V | 0.7 Ω | 10a |
Mod Peningkatan N-Channel MOSFET 10A 600V
1 Penerangan
Ini saluran N-saluran yang dipertingkatkan, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan kehilangan konduksi, meningkatkan prestasi beralih dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Pertukaran cepat
● Keupayaan ESD yang lebih baik
● Rendah terhadap rintangan (RDSON ≤9.0Ω)
● Caj Gate Rendah (typ: 32nc)
● Kapasit pemindahan terbalik rendah (typ: 7.5pf)
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.
● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
600V | 0.7 Ω | 10a |