Njia ya Uboreshaji wa N-channel Nguvu MOSFET 10A 600V 10N60

Njia ya Uboreshaji wa N-channel Nguvu ya MOSFET 10A 600V

1 Maelezo

Vdmosfets hizi za N-channel zilizoboreshwa, hupatikana kwa teknolojia ya sayari iliyojipanga ambayo hupunguza upotevu wa upitishaji, kuboresha utendakazi wa kubadili na kuongeza nishati ya maporomoko ya theluji. Ambayo inalingana na kiwango cha RoHS. 

2 Sifa 

● Kubadilisha haraka 

● ESD iliboresha uwezo 

● Upinzani mdogo (Rdson≤9.0Ω) 

● Chaji ya chini ya lango (Aina: 32nC) 

● Uwezo wa chini wa uhamishaji wa kinyume (Aina: 7.5pF) 

● Jaribio la 100% la nishati ya mpigo mmoja 

● Jaribio la ΔVDS la 100%. 

3 Maombi 

● Hutumika katika saketi mbalimbali za kubadili nishati kwa ajili ya uboreshaji mdogo wa mfumo na ufanisi wa juu zaidi. 

● Sakiti ya kubadili nguvu ya ballast ya elektroni na adapta.

VDSS	RDS(imewashwa)(TYP)	ID
600V	0.7 Ω	10A