Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 10A 600V 10N60

Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 10A 600V

1 περιγραφή

Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά 

● Γρήγορη εναλλαγή 

● βελτιωμένη ικανότητα ESD 

● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤9.0Ω) 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (τύπος: 32NC) 

● Χαμηλές χωρητικότητες μεταφοράς (τύπος: 7.5PF) 

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche 

● δοκιμή 100% ΔVDS 

3 αιτήσεις 

● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής τροφοδοσίας για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση. 

● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του έρματος ηλεκτρονίων και του προσαρμογέα.