N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 10A 600V 10N60

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 10A 600V

1 deskripsi

N-channel yang ditingkatkan VDMOSFET ini, diperoleh oleh teknologi planar self-endak yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja switching dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar ROHS. 

2 fitur 

● Pergantian cepat 

● Kemampuan ESD Peningkatan 

● Rendah pada resistansi (rdson≤9.0Ω) 

● Pengisian Gerbang Rendah (TYP: 32NC) 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah (TYP: 7.5PF) 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 

3 aplikasi 

● Digunakan di berbagai sirkuit switching daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi. 

● Sirkuit sakelar daya dari ballast dan adaptor elektron.