حالت تقویت کانال N-channel قدرت MOSFET 10A 600V 10N60

حالت تقویت کانال N-Channel Power MOSFET 10A 600V

1 توضیحات

این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد. 

2 ویژگی 

● سوئیچینگ سریع 

● ESD قابلیت بهبود یافته 

● کم مقاومت (Rdson≤9.0Ω) 

legh شارژ پایین دروازه (تایپ: 32nc) 

cappacitances Transferment Resport (TYP: 7.5pf) 

● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک 

● 100 ٪ تست ΔVDS 

3 برنامه 

● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود. 

circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی.