port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 400V-1500V N MOS » N-kanalforbedringsmodus MOSFET 10A 600V 10N60

lasting

Del til:
Facebook -delingsknapp
Twitter -delingsknapp
Linjedelingsknapp
WeChat delingsknapp
LinkedIn -delingsknapp
Pinterest delingsknapp
WhatsApp -delingsknappen
Sharethis delingsknapp

N-kanals forbedringsmodus MOSFET 10A 600V 10N60

N-kanals forbedringsmodus MOSFET 10A 600V
tilgjengelighet:
Mengde:
  • 10n60

  • Wxdh

N-kanals forbedringsmodus MOSFET 10A 600V


1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET-er, oppnås av den selvjusterte plane teknologien som reduserer ledningstapet, forbedrer bytteytelsen og forbedrer snøskredenergien. Som stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funksjoner 

● Rask bytte 

● ESD forbedret muligheten 

● Lav på motstand (Rdson≤9.0Ω) 

● Lav portladning (TYP: 32NC) 

● Lav omvendt overføringskapasitans (TYP: 7.5pf) 

● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test 

● 100% ΔVDS -test 


3 søknader 

● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet. 

● Strømbryterkrets for elektronballast og adapter.


VDSS  Rds (på) (typ) Id 
600V 0,7 Ω 10a



Tidligere: 
NESTE: 
  • Registrer deg for vårt nyhetsbrev
  • Gjør deg klar for fremtiden
    påmelding til vårt nyhetsbrev for å få oppdateringer rett til innboksen