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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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G50T65LBBW

50A 650V Puerta de zanjes de trinchera Transistor Bipolar
Disponibilidad:
Cantidad:

50A 650V Puerta de zanjes de trinchera Transistor bipolar

1 descripción

Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance, el 650V FS IGBT ofrece superior y

actuaciones de conmutación, ruggedness de alta avalancha Operación paralela fácil

2 características

● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva

● Voltaje de bajo saturación: VCE (SAT), TYP = 2.0V @ IC = 50A y TJ = 25 ° C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

3 aplicaciones

● Soldadura

● UPS

● Inverter de tres niveles

Tipo

VCE Beer Vcesat, TJ = 25 ℃ Tjmax Paquete
G50T65D 650V 50A 2.0V 175 ℃ A 3pn


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