Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi Trenchstop 50A 650V
1 Deskripsi
Menggunakan desain Trench milik DongHai dan teknologi FS yang canggih, IGBT FS 650V menawarkan keunggulan dan
kinerja peralihan, ketangguhan longsoran salju yang tinggi, pengoperasian paralel yang mudah
2 Fitur
● Teknologi Parit FS, Koefisien suhu positif
● Tegangan saturasi rendah: VCE(sat), typ = 2.0V @ IC =50A dan Tj = 25°C
● Kemampuan longsoran salju yang sangat ditingkatkan
3 Aplikasi
● Pengelasan
● UPS
● Inverter Tiga Tingkat
Jenis |
Wakil |
Ic |
Vcesat,Tj=25℃ |
Tjmax |
Kemasan |
| G50T65D |
650V |
50A |
2.0V |
175℃ |
TO-3PN |