G50T65LBBW

Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 50A 650V

1 Descriptif

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances supérieures et

performances de commutation, robustesse élevée aux avalanches fonctionnement parallèle facile

2 Caractéristiques

● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif

● Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 2,0 V @ IC =50A et Tj = 25°C

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

3 candidatures

● Soudage

● UPS

● Onduleur à trois niveaux