G50T65LBBW

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor

1 ဖော်ပြချက်

DongHai ၏ မူပိုင် Trench ဒီဇိုင်းနှင့် FS နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ 650V FS IGBT သည် သာလွန်ကောင်းမွန်ပြီး ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

switching performances, high avalanche ruggedness parallel operation လွယ်ကူသည်။

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု

● FS Trench နည်းပညာ၊ အပြုသဘောဆောင်သောအပူချိန်ကိန်းဂဏန်း

● ပြည့်ဝသောဗို့အား- VCE(sat), typ = 2.0V @ IC = 50A နှင့် Tj = 25°C

● နှင်းပြိုကျမှုစွမ်းရည်ကို အလွန်မြှင့်တင်ထားသည်။

3 လျှောက်လွှာများ

● ဂဟေဆော်ခြင်း။

● UPS

● သုံးအဆင့် အင်ဗာတာ