G50T65LBBW

Біполярний транзистор з ізольованим затвором 50A 650V

1 Опис

Використовуючи запатентовану конструкцію DongHai Trench і передову технологію FS, 650 В FS IGBT забезпечує чудові та

характеристики перемикання, висока лавинна міцність, легка паралельна робота

2 Особливості

● FS Trench Technology, позитивний температурний коефіцієнт

● Низька напруга насичення: VCE (sat), typ = 2,0 В при IC = 50 A та Tj = 25 °C

● Надзвичайно покращена лавиноздатність

3 Додатки

● Зварювання

● ДБЖ

● Трирівневий інвертор