8A 500V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 8N50 TO-220C

8A 500V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş 

● ESD'nin geliştirilmiş kapasitesi

● Düşük direnç (Rdson≤0,9Ω) 

● Düşük geçit şarjı (Tip: 24nC) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 7pF) 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama

● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. ● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)（TYP)	İD
500V	0,72Ω	8A