未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET



Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

MOSFET

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
220A 20V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20 V 220A Specifikimi i pajisjes DH009N02P.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
320A 20V 20V MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanalit N DH009N02U
18N50/F18N50/18N50D
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 180A 85V MOSFET Fuqia DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85 V 180 A Pajisje+DSD040N08N3A+Specifikim+Rev.1.0.pdf
2A 600 V i modalitetit të përmirësimit të kanalit N me fuqi MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600 V 2A
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100 V 120A Specifikimi i pajisjes DH10H035R.pdf
5A 500V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500 V 5A Specifikimi i pajisjes D5N50&B5N50.pdf
310A 20V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20 V 310A Specifikimi i pajisjes DH009N02.pdf
5A 500V N-kanal i përmirësimit MOSFET Fuqia MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Specifikimi i pajisjes D5N50&B5N50.pdf
60A 30V 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30 V 60 A Specifikimi i pajisjes DH081N03.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A Donghai_DSN108N20N_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
18A 500V 500V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
30A 30V N-kanal i përmirësimit të modalitetit të fuqisë MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30 V 30 A Specifikimi i pajisjes DH081N03R.pdf
4A 650V N-kanal i përmirësimit të modalitetit të fuqisë MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
320A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30 V 320A Specifikimi i pajisjes DH012N03.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180 A Specifikimi i pajisjes DHS020N04D.pdf
320A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30 V 320A Specifikimi i pajisjes DH012N03.pdf
100A 85V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85 V 100A Specifikimi i pajisjes DH85N08.pdf
105A 68V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68 V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Fletë e të dhënave+V2.0 .pdf

Video e produktit



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com