portë
Jiangsu Donghai Gjysmëpërçues Co, Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produkte » MOSFET »» 400V-1500V N MOS » 5A 500V N-Channel Modaliteti i Përmirësimit të Fuqisë MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B

ngarkesë

Ndajnë në:
Butoni i Ndarjes në Facebook
butoni i ndarjes në Twitter
butoni i ndarjes së linjës
Butoni i Ndarjes WeChat
Butoni i Ndarjes së LinkedIn
butoni i ndarjes së pinterest
butoni i ndarjes së whatsapp
Butoni i Ndarjes së Sharethis

5A 500V N-Channel Enhancimment Modaliteti i Fuqisë MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B

5A 500V N-kanali i përmirësimit të kanalit Fuqia
Disponueshmëria MOSFET:
Sasia:

5A 500V N-Channel Enhancimment Mode MODE MOSFET


1 Përshkrimi

Këto VDMOSFET e përmirësuar me kanal, merren nga teknologjia planare e vetë-lidhur e cila zvogëlon humbjen e përcjelljes, përmirëson performancën e ndërrimit dhe përmirëson energjinë e ortekut. Që përputhet me standardin ROHS. 


2 tipare 

● Kalimi i shpejtë 

● ESD aftësi e përmirësuar 

● Rezistencë e ulët (Rdson≤1.6Ω) 

Charge ngarkesë e ulët e portës (Tipi: 12.6NC) 

Cap Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (Tipi: 4pf) 

Test 100% Pulse Pulse Test i Energjisë së Avalanche

Test 100% ΔVDS 


3 aplikime 

● Përdoret në qark të ndryshëm ndërrimi të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitetin më të lartë. 

Circuit Rrethi i ndërprerjes së energjisë së çakëllit dhe përshtatësit të elektroneve.

VDSS  Rds (on) (tip) Edhull 
500V 1.4Ω 5A



I mëparshmi: 
Tjetra: 
  • Regjistrohuni për gazetën tonë
  • Bëhuni gati për e ardhshëm për gazetën tonë për të marrë azhurnime direkt në kutinë tuaj
    regjistrimin