ความพร้อมใช้งาน: | |
---|---|
ปริมาณ: | |
D5N50
wxdh
D5N50
ถึง -252b
500V
5a
5A 500V N-Channel Enhance Mode Power MOSFET
1 คำอธิบาย
N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD
●ความต้านทานต่ำ (rdson≤1.6Ω)
●ประจุเกตต่ำ (ประเภท: 12.6NC)
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 4PF)
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น
●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
500V | 1.4Ω | 5a |
5A 500V N-Channel Enhance Mode Power MOSFET
1 คำอธิบาย
N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD
●ความต้านทานต่ำ (rdson≤1.6Ω)
●ประจุเกตต่ำ (ประเภท: 12.6NC)
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 4PF)
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น
●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
500V | 1.4Ω | 5a |