5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B

5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ

ເຫຼົ່ານີ້ N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ�4c4=ັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບ3a3fc67230e93=1700V/40mΩ/67A N-channel SiC MOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 

2 ຄຸນສົມບັດ 

● ສະຫຼັບໄວ 

● ESD ປັບປຸງຄວາມສາມາດ 

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤1.6Ω) 

● ຄ່າຜ່ານປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 12.6nC) 

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບຕ່ໍາ (ປະເພດ: 4pF) 

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche avalanche ດຽວ

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆເພື່ອການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ. 

● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງ ballast ເອເລັກໂຕຣນິກ ແລະອະແດັບເຕີ.

VDSS	RDS(ເປີດ) (TYP)	ID
500V	1.4Ω	5A