5A 500V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B

5A 500V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede vdmosfets er opnået af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer koblingsydelsen og forbedrer lavineenergien. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Hurtigt skift 

● ESD forbedret kapacitet 

● Lav modstand (Rdson≤1,6Ω) 

● Lav gate-opladning (Type: 12,6nC) 

● Lave omvendte overførselskapacitanser (Typ:4pF) 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger 

● Anvendes i forskellige strømomskifterkredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet. 

● Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
500V	1,4Ω	5A