Upatikanaji: | |
---|---|
Wingi: | |
D5N50
Wxdh
D5N50
To-252b
500V
5a
5A 500V N-Channel Uimarishaji wa Modi ya Modfet
Maelezo 1
VDMOSFETs hizi zilizoboreshwa za N-channel, hupatikana na teknolojia ya sayari iliyojipanga ambayo hupunguza upotezaji wa uzalishaji, kuboresha utendaji wa kubadili na kuongeza nishati ya avalanche. Ambayo inaambatana na kiwango cha ROHS.
Vipengele 2
● Kubadilisha haraka
● Uwezo wa ESD ulioboreshwa
● Chini ya upinzani (rdson≤1.6Ω)
● Malipo ya lango la chini (typ: 12.6nc)
● Uwezo wa chini wa uhamishaji wa nyuma (typ: 4pf)
● Mtihani wa nishati moja wa Pulse Avalanche
● Mtihani wa 100% ΔVDS
Maombi 3
● Inatumika katika mzunguko tofauti wa kubadili nguvu kwa mfumo wa miniaturization na ufanisi mkubwa.
● Mzunguko wa kubadili nguvu ya ballast ya elektroni na adapta.
VDS | RDS (on) (typ) | Id |
500V | 1.4Ω | 5a |
5A 500V N-Channel Uimarishaji wa Modi ya Modfet
Maelezo 1
VDMOSFETs hizi zilizoboreshwa za N-channel, hupatikana na teknolojia ya sayari iliyojipanga ambayo hupunguza upotezaji wa uzalishaji, kuboresha utendaji wa kubadili na kuongeza nishati ya avalanche. Ambayo inaambatana na kiwango cha ROHS.
Vipengele 2
● Kubadilisha haraka
● Uwezo wa ESD ulioboreshwa
● Chini ya upinzani (rdson≤1.6Ω)
● Malipo ya lango la chini (typ: 12.6nc)
● Uwezo wa chini wa uhamishaji wa nyuma (typ: 4pf)
● Mtihani wa nishati moja wa Pulse Avalanche
● Mtihani wa 100% ΔVDS
Maombi 3
● Inatumika katika mzunguko tofauti wa kubadili nguvu kwa mfumo wa miniaturization na ufanisi mkubwa.
● Mzunguko wa kubadili nguvu ya ballast ya elektroni na adapta.
VDS | RDS (on) (typ) | Id |
500V | 1.4Ω | 5a |