20A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET 20N65D TO-3P

Výkonový MOSFET 20A 650V N-channel Mode Enhancement Mode

1 Popis

Tieto N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samo-zarovnanou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie 

● Vylepšená schopnosť ESD 

● Nízky odpor (Rdson≤0,50Ω)

● Nízke nabitie brány (Typ: 58 nC) 

● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 20 pF) 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS 

3 Aplikácie 

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.

● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra.

VDSS	RDS (zapnuté) (TYP)	ID
650 V	0,4Ω	20A