未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

12V-300V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
250A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250A Zariadenie DH019N04 Špecifikácia.pdf
238A 60V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60 V 238A Zariadenie DH026N06 Špecifikácia.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
70A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60 V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40 V 120A Zariadenie+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
81A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80 V 81A Zariadenie DH060N08 Špecifikácia.pdf
120A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40 V 120A Zariadenie+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
120A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 TO-220C 85V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N85-Rev.2.0.pdf
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100 V 108A Špecifikácia zariadenia DHS051N10P(2).pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100 V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
180A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40 V 180A DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Datasheet Rev.1.0 .pdf
59A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59A Špecifikácia zariadenia 60N10B76(1).pdf
18A 200V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH640 TO-220C DH640 TO-220C 200V 18A Špecifikácia zariadenia 640.pdf
100A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
DHS052N10P DFN5X6 DHS052N10P DFN5*6-8 100 V 99A Špecifikácia zariadenia DHS052N10P.pdf
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET B12N10/D12N10
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100 V 100A Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com