未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » Igbt » 600V-650V » DGC40F65M2 TO-247

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

DGC40F65M2 до-247

Используя проприетарную конструкцию траншеи и технологию FS в Донхае, IGBT 650V предлагает превосходные и коммутационные характеристики, высокая бурная бурость в области легкой параллельной эксплуатации : Количество
:
Количество:
Запросить Добавить в корзину

  • DGC40F65M2

  • WXDH

  • До 247

  • Dgc40f65m__dataheet-12.26.pdf

  • 650 В.

  • 40a

40A 650 В трансполированная траншея биполярный транзистор затвора


1 Описание 

Используя проприетарную конструкцию траншеи и технологию FS Donghai. 


2 функции 

● Технология FS Trench, положительный коэффициент температуры 

● Низкое напряжение насыщения: VCE (SAT), тип = 1,85 В @ IC = 40A и TJ = 25 ° C

● Чрезвычайно улучшенные возможности лавины


3 приложения 

● Сварка 

● UPS 

● Трехуровневый инвертор


VDSS VCESAT, TJ = 25 ℃ ИДЕНТИФИКАТОР
650 В. 1,85 В. 40a


Предыдущий: 
Следующий: 
Igbt
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com