DGC40F65M2 TO-247

Utilizzando la progettazione della trincea proprietaria di Donghai e la tecnologia FS anticipata, la FS IGBT 650V offre prestazioni superiori e di commutazione, ad alta valanga e facile

disponibilità di funzionamento parallelo:

quantità:



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Modello:
DGC40F65M2
Marca:
Wxdh
Pacchetto:
To-247
Scheda dati:
Dgc40f65m__datasheet-126.pdf
V:
650v
UN:
40a

Descrizione del prodotto

Transistor bipolare da gate isolato a trench 450A 650V

1 Descrizione

Utilizzando la progettazione della trincea proprietaria di Donghai e la tecnologia FS anticipata, il 650V FS IGBT offre prestazioni superiori e di commutazione, ad alta funzionalità di robustezza delle valanghe.

2 caratteristiche

● Tecnologia della trincea FS, coefficiente di temperatura positivo

● Tensione di saturazione bassa: VCE (SAT), tip = 1.85V @ IC = 40A e TJ = 25 ° C

● Capacità di valanga estremamente migliorata

3 applicazioni

● Saldatura

● UPS

● Inverter a tre livelli

VDSS	VceSat, TJ = 25 ℃	ID
650v	1.85v	40a

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