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DGC40F65M2 TO-247

Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo
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Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop de 40A 650V


1 Descripción 

Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo. 


2 características 

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 1,85 V @ IC = 40 A y Tj = 25 °C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada


3 aplicaciones 

● Soldadura 

● SAI 

● Inversor de tres niveles


VDSS Vcesat,Tj=25℃ IDENTIFICACIÓN
650V 1,85 V 40A


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