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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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DGC40F65M2 TO-247

Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones superiores y de conmutación, alta resistencia de avalancha de avalancha fácil de operación paralela
Disponibilidad:
Cantidad:

40A 650V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar


1 descripción 

Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones superiores y de conmutación, ruggedness de alta avalancha operación paralela fácil 


2 características 

● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva 

● Voltaje de bajo saturación: VCE (SAT), TYP = 1.85V @ IC = 40A y TJ = 25 ° C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada


3 aplicaciones 

● Soldadura 

● UPS 

● Inverter de tres niveles


VDSS Vcesat, TJ = 25 ℃ IDENTIFICACIÓN
650V 1.85V 40A


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