kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » IGBT » 600V-650V » DGC40F65M2 TO-247

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

DGC40F65M2 TO-247

A DongHai szabadalmaztatott Trench tervezésének és a fejlett FS technológiának köszönhetően a 650 V-os FS IGBT kiváló kapcsolási teljesítményt, nagy lavinaállóságot és egyszerű párhuzamos működést kínál
Elérhetőség:
Mennyiség:

40A 650V Trenchstop szigetelt kapu bipoláris tranzisztor


1 Leírás 

A DongHai szabadalmaztatott Trench tervezését és a fejlett FS technológiát használva a 650 V FS IGBT kiváló kapcsolási teljesítményt, nagy lavinaállóságot és egyszerű párhuzamos működést kínál. 


2 Jellemzők 

● FS Trench Technology, pozitív hőmérsékleti együttható 

● Alacsony telítési feszültség: VCE (sat), típus = 1,85 V @ IC = 40 A és Tj = 25°C

● Rendkívül továbbfejlesztett lavinaképesség


3 Alkalmazások 

● Hegesztés 

● UPS 

● Háromszintű inverter


VDSS Vcesat, Tj = 25 ℃ ID
650V 1,85V 40A


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket