DGC40F65M2 ถึง 247

การใช้การออกแบบร่องลึกที่เป็น ล่วงหน้า 650V FS IGBT ให้การแสดงที่เหนือกว่าและการสลับ

กรรมสิทธิ์ ของ Donghai และเทคโนโลยี

FS



สอบถาม เพิ่มลงในตะกร้า

40A 650V Trenchstop Gate Gate Bipolar Transistor

1 คำอธิบาย

การใช้การออกแบบร่องลึกที่เป็นกรรมสิทธิ์ของ Donghai และเทคโนโลยี FS ล่วงหน้า 650V FS IGBT ให้การแสดงที่เหนือกว่าและสลับ

2 คุณสมบัติ

●เทคโนโลยีสนามเพลาะ FS ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิบวก

●แรงดันความอิ่มตัวต่ำ: VCE (SAT), typ = 1.85V @ IC = 40A และ TJ = 25 ° C

●ความสามารถในการหิมะถล่มที่เพิ่มขึ้นอย่างมาก

3 แอปพลิเคชัน

●การเชื่อม

● UPS

●อินเวอร์เตอร์สามระดับ

VDSS	vcesat, tj = 25 ℃	รหัสประจำตัว
650V	1.85V	40A

ต่อไป:

ลงทะเบียนเพื่อรับจดหมายข่าวของเรา
เตรียมพร้อมสำหรับ
การลงทะเบียนในอนาคตเพื่อรับจดหมายข่าวของเราเพื่อรับการอัปเดตโดยตรงไปยังกล่องจดหมายของคุณ

ส่ง