20A 650V N-kanals forbedringsmodus Strøm MOSFET 20N65D TO-3P

20A 650V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede vdmosfetsene er oppnådd av den selvjusterte plane teknologien som reduserer ledningstapet, forbedrer bytteytelsen og forbedrer skredenergien. Som samsvarer med RoHS-standarden. 

2 funksjoner 

● Rask veksling 

● ESD forbedret kapasitet 

● Lav motstand (Rdson≤0,50Ω)

● Lav portlading (Type: 58nC) 

● Lave reversoverføringskapasitanser (Type: 20pF) 

● 100 % enkeltpuls skredenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 applikasjoner 

● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet.

● Strømbryterkrets for elektronballast og adapter.

VDSS	RDS(på) (TYP)	ID
650V	0,4Ω	20A