20A 650V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET 20N65D TO-3P

20A 650V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET

1 Opis

Ovi N-kanalni poboljšani vdmosfeti dobiveni su samoporavnanom planarnom tehnologijom koja smanjuje gubitak vodljivosti, poboljšava izvedbu prebacivanja i povećava energiju lavine. Što je u skladu s RoHS standardom. 

2 Značajke 

● Brzo prebacivanje 

● ESD poboljšana sposobnost 

● Nizak otpor (Rdson≤0,50Ω)

● Nizak naboj vrata (Tip: 58 nC) 

● Niski kapaciteti obrnutog prijenosa (tip: 20pF) 

● 100% ispitivanje energije lavine jednog pulsa 

● 100% ΔVDS test 

3 Prijave 

● Koristi se u različitim strujnim sklopovima za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost.

● Krug prekidača napajanja elektronskog balasta i adaptera.

VDSS	RDS (uključen) (TYP)	ID
650V	0,4Ω	20A