20A 650V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET 20N65D TO-3P

Výkonový MOSFET 20A 650V N-channel Enhancement Mode

1 Popis

Tyto N-kanálové vylepšené vdmosfety jsou získány samočinně zarovnanou planární technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje energii laviny. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rychlé přepínání 

● Vylepšená schopnost ESD 

● Nízký odpor (Rdson≤0,50Ω)

● Nízké nabití brány (Typ: 58 nC) 

● Nízké zpětné přenosové kapacity (Typ: 20pF) 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS 

3 Aplikace 

● Používá se v různých spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.

● Obvod vypínače elektronového předřadníku a adaptéru.

VDSS	RDS(zapnuto)（TYP)	ID
650V	0,4Ω	20A