20A 650V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET 20N65D TO-3P

20A 650V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse

Disse N-kanal forbedrede vdmosfets opnås af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer switching ydeevne og forbedrer lavineenergien. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Hurtigt skift 

● ESD forbedret kapacitet 

● Lav modstand (Rdson≤0,50Ω)

● Lav portladning (Type: 58nC) 

● Lave omvendte overførselskapacitanser (Type: 20pF) 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger 

● Anvendes i forskellige strømomskifterkredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet.

● Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
650V	0,4Ω	20A