20A 650V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 20N65D TO-3P

MOSFET me fuqi 20A 650 V të modalitetit të përmirësimit të kanalit N

1 Përshkrimi

Këto vdmosfet të zgjeruara me kanal N, përftohen nga teknologjia planare e vetë-linjëzuar e cila redukton humbjen e përcjelljes, përmirëson performancën e ndërrimit dhe rrit energjinë e ortekëve. Që përputhet me standardin RoHS. 

2 Karakteristikat 

● Ndërrimi i shpejtë 

● Aftësia e përmirësuar ESD 

● Rezistencë e ulët (Rdson≤0,50Ω)

● Ngarkesa e ulët e portës (Lloji: 58nC) 

● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (Lloji: 20 pF) 

● Testi i energjisë së ortekëve me puls 100% të vetëm 

● Test 100% ΔVDS 

3 Aplikacionet 

● Përdoret në qark të ndryshëm komutues të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitet më të lartë.

● Qarku i ndërprerësit të rrymës së çakëllit elektronik dhe përshtatësit.

VDSS	RDS (aktiv) (TYP)	ID
650 V	0.4Ω	20 A