20A 650V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET 20N65D TO-3P

20A 650V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beschrijving

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie verbetert. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 

2 Kenmerken 

● Snel schakelen 

● ESD verbeterde mogelijkheden 

● Lage weerstand (Rdson≤0.50Ω)

● Lage poortlading (Typ: 58nC) 

● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten (Typ: 20pF) 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test 

3 toepassingen 

● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.

● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.

VDSS	RDS(aan)（TYP)	Identiteitskaart
650V	0,4Ω	20A