20A 650V N-saluran Mod Peningkatan Kuasa MOSFET 20N65D TO-3P

20A 650V N-saluran Mod Peningkatan Kuasa MOSFET

1 Penerangan

Vdmosfet dipertingkatkan saluran-N ini, diperolehi oleh teknologi satah sejajar sendiri yang mengurangkan kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi pensuisan dan meningkatkan tenaga salji. Yang sesuai dengan piawaian RoHS. 

2 Ciri 

● Penukaran pantas 

● ESD meningkatkan keupayaan 

● Rintangan rendah (Rdson≤0.50Ω)

● Caj pintu rendah (Jenis: 58nC) 

● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah (Jenis: 20pF) 

● 100% ujian tenaga salji nadi tunggal 

● 100% ujian ΔVDS 

3 Aplikasi 

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengecilan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.

● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
650V	0.4Ω	20A