20A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET 20N65D TO-3P

20A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec N-canali vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta, quae conductionem damnum minuunt, emendae commutationes perficiendi et NIVIS energiae augendae. Quod congruit cum RoHS vexillum. 

2 Features 

Fast commutatione 

ESD melius facultatem 

● Minimum resistente (Rdson≤0.50Ω)

Praefectum portae Minimum (Typ: 58nC) 

Minimum contra capacitates translationis (Typ: 20pF) 

C% una pulsus NIVIS industria test 

C% VDS test 

III Applications 

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum.

● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
650V	0.4Ω	20A