未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET



Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

MOSFET

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
250A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 -220C 40V 250A Laite DH019N04 Specification.pdf
238A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 -220C 60V 238A Laite DH026N06 Specification.pdf
120A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA -220C 40V 120A Laite+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specification+Rev.1.0.pdf
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
120A 40V N-kanavainen lisätilavirta MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40V 120A Laite+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specification+Rev.1.0.pdf
81A 80V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 -220C 80V 81A Laite DH060N08 Specification.pdf
120A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 -220C 85V 120A Laite DHS045N85 Specification-Rev.2.0.pdf
N-kanavainen tehostustilan MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30A Laite DH100P28 Specification.pdf
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
-6A -100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100V -6A Donghai_DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100V 108A Laitteen DHS051N10P Specification(2).pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavainen laajennustilan teho MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
70A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
DHS052N10P DFN5X6 DHS052N10P DFN5*6-8 100V 99A Laitteen DHS052N10P Specification.pdf
DSE058N15NA TO-263 DSE058N15NA TO-263 150V 150A Donghai+DSE058N15NA+DataSheet+V2.0.pdf
18A 200V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH640 TO-220C DH640 -220C 200V 18A Device 640 Specification.pdf
D7N60 TO-252B D7N60 TO-252B 600V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
59A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 -220C 100V 59A Laite 60N10B76 Specification(1).pdf

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com