MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 180A 40V DHS020N04 TO-220C

Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 180A 40V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de puerta Splite, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Alta corriente de avalancha 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas

● Electrónica automotriz

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
40V	1,7 mΩ	180A