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DGC20F65M2
Wxdh
To-247
650V
20A
20A 650V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar
1 descripción
Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones superiores y de conmutación, ruggedness de alta avalancha operación paralela fácil
2 características
● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva
● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 1.8V @ IC = 20A y TJ = 25 ° C
● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
3 aplicaciones
● Soldadura
● UPS
● Inverter de tres niveles
VDSS | Vcesat, TJ = 25 ℃ | IDENTIFICACIÓN |
650V | 1.8V | 20A |
20A 650V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar
1 descripción
Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones superiores y de conmutación, ruggedness de alta avalancha operación paralela fácil
2 características
● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva
● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 1.8V @ IC = 20A y TJ = 25 ° C
● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
3 aplicaciones
● Soldadura
● UPS
● Inverter de tres niveles
VDSS | Vcesat, TJ = 25 ℃ | IDENTIFICACIÓN |
650V | 1.8V | 20A |