20A 650V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar
1 descripción
Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones superiores y de conmutación, ruggedness de alta avalancha operación paralela fácil
2 características
● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva
● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 1.8V @ IC = 20A y TJ = 25 ° C
● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
3 aplicaciones
● Soldadura
● UPS
● Inverter de tres niveles
VDSS |
Vcesat, TJ = 25 ℃ |
IDENTIFICACIÓN |
650V |
1.8V |
20A |