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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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20A 650V Puerta de zanjes de trinchera Transistor bipolar DGC20F65M2 TO-247-3L

Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones superiores y de conmutación, alta resistencia de avalancha de avalancha fácil de operación paralela
Disponibilidad:
Cantidad:

20A 650V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar


1 descripción 

Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones superiores y de conmutación, ruggedness de alta avalancha operación paralela fácil 


2 características

● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva 

● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 1.8V @ IC = 20A y TJ = 25 ° C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 


3 aplicaciones 

● Soldadura 

● UPS 

● Inverter de tres niveles


VDSS Vcesat, TJ = 25 ℃ IDENTIFICACIÓN
650V 1.8V 20A


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