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20A 650V Grabenstop Isoliertes Gate Bipolar Transistor DGC20F65M2 TO-247-3L

Die 650 -V -FS -IGBT -Technologie von Donghai bietet überlegene und wechselnde Leistungen und Schaltvorstellungen, hohe Lawinen -Robustheit, die Verfügbarkeit von hoher Lawine Easy Parallele Operation:
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20A 650 V Trenchstop Isoliertes Gate Bipolar Transistor


1 Beschreibung 

Die 650 -V -FS IGBT -Technologie von Donghai bietet eine überlegene und wechselnde Leistungen und schaltende Leistungen mit hoher Lawine Robustness Easy Parallel Operation anhand von Donghai. 


2 Merkmale

● FS -Grabentechnologie, positiver Temperaturkoeffizient 

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE (SAT), Typ = 1,8 V @ IC = 20A und TJ = 25 ° C

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit 


3 Anwendungen 

● Schweißen 

● ups 

● Wechselrichter mit drei Ebenen


VDSS Vcesat, tj = 25 ℃ AUSWEIS
650 V 1,8 V 20a


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